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高通S830曝光:支持QC40快充防炸技术杠杠的!
时间: 2021-11-23

  千余人雨中徒步道教圣地河南西峡传承老子文化,日前把中国的两家品牌手机制造商 vivo 和 OPPO 告上印度德里高等法院,指控两家公司在印度市场出售未支付专利费的智能手机。而且,印度高等法院已判决vivo 和 OPPO 两家公司必须按照制造、销售和进口量,向杜比实验室支付专利费,等于宣告 vivo 和 OPPO 在这场诉讼中败诉。

  根据法院的最后判决,vivo 和 OPPO 两家公司需要在每月结束后的隔月第 5 天,向杜比实验室提供使用了侵权技术设备的详细制造、销售和进口资料。此外,vivo 和 OPPO 还需在隔月的第 8 天,按照每部手机 34 卢比 (约合人民币3.43 元) 的价格向杜比实验室支付专利费。

  据了解,杜比实验室方面坚称,vivo 和 OPPO 应当为每部智能手机支付 38 卢比 (约合人民币 3.84元) 的专利费,而且应直接以美元向该公司支付专利费。另外,杜比还认为,vivo 和 OPPO 应当从两家公司开始制造、销售和进口侵权产品之时就开始缴纳专利费。

  另外,印度法院还裁定,vivo 和 OPPO 两家公司需要同杜比实验室在公平、合理、不歧视的情况下,签订专利授权协定。在协定签订之前,vivo 和 OPPO 仍将可以继续在印度市场销售使用杜比实验室技术的智能手机。

  目前vivo 和 OPPO 目前在印度市场的销售资料仍不得而知。虽然,两家公司在印度市场所占的市占率仍然很少,但发展速度却非常快速。日前有报导表示,2016 年 vivo 在印度市场的销量较 2015 年同期成长了 759%,而 OPPO 则成长了 159%。

  在此之前,爱立信曾把另外一家中国智能手机制造商小米告上印度法庭,指控小米侵犯该公司专利,要求禁止小米手机在印度销售,并要求小米缴纳 GSM、EDGE 和 UMTS/WCDMA 等技术标准相关的专利费。对此,印度德里高等法院也已做出判决,下令禁止小米在印度市场销售搭载了非高通芯片组的智能手机,直至诉讼彻底得到解决。

  高通为下年的旗舰芯骁龙830准备最新的快充技术——QC4.0,具备安全检测功能……

  有传闻表示,作为明年上半年的旗舰处理器,高通骁龙830将会采用四个大核心、四个小核心的八核Kryo架构设计,最高频率为2.6GHz,10nm工艺制造。并且,高通骁龙830正在酝酿改名,可能835甚至850,也可能不改。高通内部有意见认为:这样可以促进营销效果。

  近日,根据国外科技网站报导指出,高通已经开始为下年的旗舰芯骁龙830准备新的快充技术——QC4.0,它能够在任意时刻精确地识别电池需要的充电功率,具备安全检测功能。

  高通快充全称QucikCharge,QC1.0最常见的规格是现在低端机上的5V2A充电;QC2.0走的高电压路线着重提升的是充电效率,INOV技术可提供200mV的步进电压调节梯度,提升速度之余可以减轻手机的发热。

  QC 4.0快充,传闻最高攻略可达28W的功率,采用5V/4.7A~5.6A和9V/3A(舍弃了12V),同时INOV技术的步进电压精度提升到10mV,进一步提升充电效率并减轻发热。

  预计由明年的骁龙830平台首发,而且甚至可能整合到SoC当中,但暂时未知会否提供独立的电源芯片,让其他SoC也能享受新的快充。

  事实上,高通采用的是一种被称为“最佳电压智能协商算法”的技术,它能够在任意时刻精确地识别电池需要的充电功率,避免出现过热甚至爆炸等情况。坦白说,此前三星Galaxy Note 7的爆炸事件已经让消费者更加重视手机的安全性能。

  外界猜测,支持Quick Charge 4.0技术的智能手机很有可能会在明年第一季度正式进入市场。

  一牛网消息,据台湾媒体报道,近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战,长江存储传已评估到南京设立12吋厂,联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产,并在南科厂同步研发25、30纳米制程,至于合肥市与北京兆易创新(GigaDevICe)合作的合肥长芯,由前中芯国际执行长王宁国操刀,大陆这三股DRAM势力将决战2018年,抢当大陆DRAM产业龙头。

  尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现,长江存储将与已购并飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作,切入32层和64层3D NAND技术,由于门槛较高,长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂,然值得注意的是,全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。

  目前大陆DRAM势力处于战国时代,至少有三股DRAM势力全面竞逐版图,除了长江存储之外,还有联电旗下福建晋华,其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤,第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。

  长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色,将统筹3D NAND和DRAM两大存储器技术发展,然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范,若是自行研发DRAM技术必须先量产3D NAND,但若对外购买技术则无此限制,使得长江存储积极与国际大厂合作,以加速DRAM量产,并获得专利保护伞。

  长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权,业界亦传出正着手评估自建或购并现有晶圆厂的可能性,甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12吋晶圆厂,长江存储执行长杨士宁则表示,将以购并现有晶圆厂为第一考量。

  近期武汉新芯12吋新厂已经动起来,单月产能规划30万片,涵盖NAND Flash和DRAM芯片,然业界预期长江存储两大产品线的生产基地,最终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制,希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术,以争取大陆DRAM产业宝座。

  联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工,预计2018年进入量产,业界传出大陆注资近新台币100亿元,让联电在南科厂同时进行25、30纳米技术研发,预计2017年底完成技术开发,福建晋华则配合在2018年下半装机,届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。

  尽管福建晋华至少要投入25纳米以下制程技术,才有机会获得大陆官方青睐,但联电采取较谨慎作法,避免一下子投入25纳米技术开发面临失败风险,遂同时研发30纳米作为备案。

  大陆第三股DRAM势力系由王宁国操刀的合肥长芯,原本合肥市政府和GigaDevice投资的厂房,传出主要投入DRAM相关存储器IC设计,然近期业界传出该阵营将豪掷逾新台币1,000亿元,同时进行DRAM研发和制造,但此一作法可能有IP侵权的风险。

  目前大陆这三股DRAM势力持续进行招兵买马,并双头并进朝向技术专利授权及自主技术研发模式发展,希望趁着大陆DRAM主导权还未底定之前先卡好位,预期2018年这三大DRAM阵营将力拚量产并陷入激战。


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